核心提示:創(chuàng)維半導體設(shè)計中心位于深圳高新南區(qū)高新南四道與科技南十路交接西北角，占地17025.5平方米，建筑面積851128平方米，項目總投資91076萬元。
工程名稱： 創(chuàng)維半導體設(shè)計大廈幕墻工程
工程地點： 深圳市南山高新區(qū)南區(qū)[2007-003-0101]地塊
工程類別： 企業(yè)總部
建筑高度： 110 m
幕墻面積： 47000 ㎡
主要幕墻類型：單元式玻璃幕墻、框架玻璃幕墻、裙樓‘喇叭口’及采光頂
創(chuàng)維半導體設(shè)計中心位于深圳高新南區(qū)高新南四道與科技南十路交接西北角，占地17025.5平方米，建筑面積851128平方米，項目總投資91076萬元。項目內(nèi)容涵蓋：視頻芯片的設(shè)計與驗證、多媒體芯片的設(shè)計與驗證、伴音功率放大器芯片的設(shè)計與驗證、LED芯片設(shè)計、LED背光模組的設(shè)計及中試、OLED顯示技術(shù)等。
關(guān)鍵詞:
創(chuàng)維大廈
江河幕墻
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